公开(公告)号：CN116699712A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310460875.9

申请日：2023-04-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张扬 ,  武城翰 ,  温敬儒 ,  胡佳欢 ,  于思佳 ,  林婷婷

IPC: G01V3/38 ,  G01V3/14

Abstract: 本发明提供了一种联合VMD和SWT的磁共振多源尖脉冲噪声剔除方法。包括采集一段含噪声的核磁共振信号，并对含有噪声的磁共振信号进行VMD分解，分解成k个IMF(本征模态函数)信号分量，对各信号分量进行平稳小波变换，得到各级小波系数，最后把处理后的信号进行小波逆变换，得到重构后的除噪信号。选用的VMD算法可以通过控制带宽抑制模态混叠现象。VMD可以自适应地确定分解成分的数量，分解出来的每个分量都具有可重构性。而平稳小波变换，通过“隔点补零”操作，使每一层分解的近似系数和细节系数与原始信号长度相同，在信号重构时无需上采样操作，避免了在非连续点产生的Gibbs振荡现象。

公开(公告)号：CN101814581A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010159085.X

申请日：2010-04-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张彤 ,  王丽杰 ,  胡佳欢

IPC: H01L51/40

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种顶栅顶接触自对准型有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)的制备方法。首先利用真空蒸镀法在清洁的绝缘衬底上制备有源层，然后利用真空蒸镀法制备绝缘层，再通过掩膜方法实现绝缘层的图案化，即形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；最后利用真空蒸镀法制备金属电极层。其中源、栅、漏三个电极在最后一步工艺同时形成。本发明具有工艺简单、器件特性好的优点，将无机TFT器件中的自对准工艺方法应用于OTFT制作过程中，减少了栅极与源、漏电极的交叠面积，从而减小栅漏之间的漏电流，有利于提高器件的开关电流比。

公开(公告)号：CN101814581B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201010159085.X

申请日：2010-04-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张彤 ,  王丽杰 ,  胡佳欢

IPC: H01L51/40

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种顶栅顶接触自对准型有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)的制备方法。首先利用真空蒸镀法在清洁的绝缘衬底上制备有源层，然后利用真空蒸镀法制备绝缘层，再通过掩膜方法实现绝缘层的图案化，即形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；最后利用真空蒸镀法制备金属电极层。其中源、栅、漏三个电极在最后一步工艺同时形成。本发明具有工艺简单、器件特性好的优点，将无机TFT器件中的自对准工艺方法应用于OTFT制作过程中，减少了栅极与源、漏电极的交叠面积，从而减小栅漏之间的漏电流，有利于提高器件的开关电流比。