公开(公告)号：CN119439378A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411775634.4

申请日：2024-12-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  张欣超 ,  张展维 ,  王曼卓 ,  刘庭瑜 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/28 ,  G02B6/125 ,  G02B6/122

Abstract: 一种基于级联多模干涉器的二氧化硅多功能模式处理器，属于二氧化硅集成光学技术领域。依次由硅衬底、二氧化硅下包层、掺锗的二氧化硅芯层、二氧化硅上包层组成，芯层被包覆在上包层之中；芯层由第一模式转换器、模式滤波器和第二模式转换器三个单元模块构成，第一模式转换器和第二模式转换器的结构和尺寸完全相同；模式转换器由第1×3Y分支波导、1×2Y分支波导、4×4多模干涉器、2×1分支合路器和3×1Y分支合路器组成。本发明所述器件共有12种基本工作状态，通过基本工作状态的不同组合，可对输入的TE0、TE1、TE2和TE3四种模式信号进行高通滤波、低通滤波、带通滤波、带阻滤波和模式转换等五种不同功能处理。

公开(公告)号：CN119717147A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510139200.3

申请日：2025-02-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙小强 ,  张欣超 ,  张展维 ,  邹佳琦 ,  王曼卓 ,  吴远大 ,  张大明

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/28 ,  G02B6/122 ,  H04J14/02

Abstract: 一种基于级联多模干涉器结构的波长‑模式混合复用器，属于二氧化硅集成光学技术领域。从下至上依次由硅衬底、二氧化硅下包层、掺锗的二氧化硅芯层和二氧化硅上包层组成，掺锗的二氧化硅芯层和上包层共同位于下包层之上，芯层被包覆在上包层之中；掺锗的二氧化硅芯层由1×2的Y分支波导、光相位调制器、2×2多模干涉器、第一1×2多模干涉器、第二1×2多模干涉器、第一1×1多模干涉器、第二1×1多模干涉器组成，该波长‑模式混合复用器采用无源结构，通过调制臂波导上的光相位调制器以及多模干涉器结构的自映像原理，可以对输入的1550nm波长下的TE0、TE1和1620nm波长下的TE0、TE1四种信号实现复用解复用。