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公开(公告)号：CN117849517A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410267670.3
申请日：2024-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于隧穿效应单分子器件的高时间分辨率电输运表征方法以及控制装置。通过控制激光器产生激光，并利用分束镜将激光分为第一子光束以及第二子光束。利用光参量放大器对第一子光束的波长进行转换，并利用反射镜将第一子光束照射到单分子器件上。利用多个光脉冲延迟装置、非线性光学晶体以及斩波器调整第二子光束相对于第一子光束到达单分子器件的时刻。最后利用第一子光束与第二子光束重叠形成的泵浦探测脉冲对作用于单分子器件，并通过信号控制采集装置获取单分子器件的电输运性质。能够依托单分子电学测量技术在实现多次、重复的受激单分子器件的高效构筑和高通量表征，极大地拓展了材料研究体系的普适性。
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公开(公告)号：CN117849517B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410267670.3
申请日：2024-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于隧穿效应单分子器件的高时间分辨率电输运表征方法以及控制装置。通过控制激光器产生激光，并利用分束镜将激光分为第一子光束以及第二子光束。利用光参量放大器对第一子光束的波长进行转换，并利用反射镜将第一子光束照射到单分子器件上。利用多个光脉冲延迟装置、非线性光学晶体以及斩波器调整第二子光束相对于第一子光束到达单分子器件的时刻。最后利用第一子光束与第二子光束重叠形成的泵浦探测脉冲对作用于单分子器件，并通过信号控制采集装置获取单分子器件的电输运性质。能够依托单分子电学测量技术在实现多次、重复的受激单分子器件的高效构筑和高通量表征，极大地拓展了材料研究体系的普适性。
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公开(公告)号：CN114420841B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210040989.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。
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公开(公告)号：CN114420841A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210040989.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。
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