公开(公告)号：CN115000238B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

公开(公告)号：CN115000238A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。