公开(公告)号：CN106185948A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610541809.4

申请日：2016-07-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  程浩然

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明公开了一种大气中开放式的工业硅造渣除磷工艺，包括钙系造渣处理和造渣后硅的酸洗处理，是将块状硅料装入中频感应熔炼炉中，高温下硅熔化后加入造渣剂熔炼，然后进行硅渣分离先初步去除部分P，再将造渣之后的硅块通过稀王水浸泡形成粉末，然后于氢氟酸中浸泡搅拌去除其余大部分的P，经过这两个步骤处理的硅，杂质P去除95％以上，且工艺简单温和。

公开(公告)号：CN106185948B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201610541809.4

申请日：2016-07-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  程浩然

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明公开了一种大气中开放式的工业硅造渣除磷工艺，包括钙系造渣处理和造渣后硅的酸洗处理，是将块状硅料装入中频感应熔炼炉中，高温下硅熔化后加入造渣剂熔炼，然后进行硅渣分离先初步去除部分P，再将造渣之后的硅块通过稀王水浸泡形成粉末，然后于氢氟酸中浸泡搅拌去除其余大部分的P，经过这两个步骤处理的硅，杂质P去除95％以上，且工艺简单温和。

公开(公告)号：CN103094394B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201310019710.4

申请日：2013-01-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  蔡丽晗 ,  王荣 ,  范宝殿 ,  程浩然 ,  任先培 ,  郑将辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。

公开(公告)号：CN103094394A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310019710.4

申请日：2013-01-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  蔡丽晗 ,  王荣 ,  范宝殿 ,  程浩然 ,  任先培 ,  郑将辉

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。提供表面涂敷稀土掺杂的一种下转换晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述一种下转换晶体硅太阳能电池从下至上依次设P+层、P层、N+层、SiNx层和荧光薄膜层。1）将有机玻璃倒入有机溶剂中，静置，使有机玻璃溶解后加入荧光粉，得均匀透明的下转换荧光材料浆料；2）用胶布贴在晶体硅电池的主栅上，将步骤1）得到的下转换荧光材料浆料旋涂在晶体硅电池上，再撕去胶布，在晶体硅电池上得下转换荧光材料薄膜；3）将样品电池烘烤，再放在空气中冷却至室温，即得下转换晶体硅太阳能电池。使用设备少，工艺流程短，无污染，可以有效地提高晶体硅太阳能电池的荧光效率。

公开(公告)号：CN116288648A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310149436.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  程浩然 ,  杨晔 ,  卢发

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/66 ,  C30B33/00 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸高质量硒化锑单晶的制备方法，包括大尺寸高质量单晶生长、块体单晶快速定向和微米级超薄片状单晶剥离步骤。单晶生长采用布里奇曼晶体生长技术，首先将按化学计量比的高纯Se和Sb粉末充分研磨、压片后，装入清洗、烘干的单端封口高纯石英管，经过机械泵和分子泵抽真空到10‑3Pa，对石英管密封。其次，在已知温度分布的垂直布里奇曼晶体生长炉内，以一定的速率拉动上述装置通过受控温度梯度区，进行单晶生长。再次，利用Sb2Se3一维晶体结构导致的独特解理面形貌，对本方法生长的高质量Sb2Se3单晶进行快速定向，研磨抛光后得到相互垂直的另两个正交晶面。最后，通过特殊剥离，获取厚度为几十微米、尺寸为10mm以上的完整薄片。本发明的薄片能够用于THz等超快光谱研究光生载流子等信息。