公开(公告)号：CN103996601A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410245729.5

申请日：2014-06-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  王尘 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 一种锗n+/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO2层；在制备好的SiO2/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p-Ge表面SiO2层；将处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n+/p浅结。采用离子注入的方式作为Ge中n型掺杂的杂质来源，结合低温预退火和激光退火激活杂质形成浅结，不受杂质在Ge中固溶度的限制，激活浓度理论可达1020cm-3以上，且激光退火时间短，容易在Ge中形成浅结，在低温预退火过程既可部分修复由离子注入所带来的晶体损伤，又不会导致杂质的扩散，还可压制杂质在激光退火过程中的扩散。