公开(公告)号：CN114582710A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210157616.4

申请日：2022-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨珍妮 ,  张佳业 ,  徐翔宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L29/45 ,  C30B28/02 ,  C30B29/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相烧结制备硅掺杂氧化镓或硅掺杂铟镓氧化物的多晶靶材；(3)在氧气条件下，利用脉冲激光沉积法在氧化铝衬底上生长(SixGa1‑x)2O3或(SixInyGa1‑x‑y)2O3薄膜，其中0.0001≤x≤0.05，0.01≤y≤0.2。本发明所制得的薄膜具有良好的导电性和深紫外透明性，满足深紫外透明电极的需求；同时采用氧化铝衬底，价格低廉，与现有的工业设备及技术兼容度高，可实现商业化生产；铟的引入能够增大薄膜材料的功函数，有效增强氧化镓半导体器件的欧姆接触。

公开(公告)号：CN113981370A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111198821.7

申请日：2021-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  张佳业 ,  杨珍妮 ,  徐翔宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B29/22 ,  C30B28/02 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种深紫外透明的高导电性Si掺杂Ga2O3薄膜及其制备方法，其包括如下步骤：将SiO2和Ga2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Si掺杂Ga2O3多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Si掺杂Ga2O3多晶靶材为靶材，利用脉冲激光沉积法在Ga2O3衬底上获得所述薄膜。本发明制得的薄膜具备超高导电率和深紫外透过率的特性。本发明可解决目前深紫外透明的高导电性薄膜缺乏的问题，可作为电子注入(收集)层助力AlGaN的深紫外光电器件、有机基电子器件和基于Ga2O3的功率电子器件的效率提升。