公开(公告)号：CN100501362C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710008601.7

申请日：2007-02-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孙道恒 ,  文尉任 ,  王凌云

IPC: G01L21/30

Abstract: 真空传感器，涉及一种传感器，尤其是涉及一种基于微机电系统(MEMS)技术，利用硅尖阵列的场致发射原理来测量真空度大小的微型真空传感器。提供一种具有原理简单可行、受环境影响小、加工工艺成熟简单易于集成等特点，应用范围前景广阔的真空传感器。设有硅尖阵列发射阴极、金属阳极、玻璃衬底、发射腔体和电极引线。金属阳极溅射在玻璃衬底上，硅尖阵列发射阴极刻蚀在硅片上，刻蚀有硅尖阵列发射阴极的硅片与溅射有金属阳极的玻璃衬底键合在一起形成发射腔体，1对电极引线分别接硅尖阵列发射阴极和金属阳极，电极引线分别由硅片和阳极金属引出外接稳压电源。

公开(公告)号：CN101034029A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710008601.7

申请日：2007-02-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 孙道恒 ,  文尉任 ,  王凌云

IPC: G01L21/30

Abstract: 真空传感器，涉及一种传感器，尤其是涉及一种基于微机电系统(MEMS)技术，利用硅尖阵列的场致发射原理来测量真空度大小的微型真空传感器。提供一种具有原理简单可行、受环境影响小、加工工艺成熟简单易于集成等特点，应用范围前景广阔的真空传感器。设有硅尖阵列发射阴极、金属阳极、玻璃衬底、发射腔体和电极引线。金属阳极溅射在玻璃衬底上，硅尖阵列发射阴极刻蚀在硅片上，刻蚀有硅尖阵列发射阴极的硅片与溅射有金属阳极的玻璃衬底键合在一起形成发射腔体，1对电极引线分别接硅尖阵列发射阴极和金属阳极，电极引线分别由硅片和阳极金属引出外接稳压电源。