公开(公告)号：CN101916719B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101916719A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101215401A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810070491.1

申请日：2008-01-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱贤方 ,  陈志华 ,  吴政

IPC: C08L33/12 ,  C08K3/08 ,  C08J7/12

Abstract: 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，涉及一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，尤其是涉及一种纳米聚甲基丙烯酸甲酯球芯包覆银膜的制备方法。提供一种具有核壳结构的有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法。先制备聚甲基丙烯酸甲酯纳米球，再用γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；用γ－巯丙基三甲氧基硅烷对用γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷修饰过的聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；最后制备聚甲基丙烯酸甲酯/银(Ag)纳米球壳粒子的制备。

公开(公告)号：CN100582160C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810070491.1

申请日：2008-01-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱贤方 ,  陈志华 ,  吴政

IPC: C08L33/12 ,  C08K3/08 ,  C08J7/12

Abstract: 一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，涉及一种有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法，尤其是涉及一种纳米聚甲基丙烯酸甲酯球芯包覆银膜的制备方法。提供一种具有核壳结构的有机无机纳米球壳结构复合材料的制备方法。先制备聚甲基丙烯酸甲酯纳米球，再用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷对聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；用γ-巯丙基三甲氧基硅烷对用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷修饰过的聚甲基丙烯酸甲酯纳米球进行修饰；最后制备聚甲基丙烯酸甲酯/银(Ag)纳米球壳粒子的制备。