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发明公开
一种高密度3D闪存两步编程方法审中-实审

公开(公告)号：CN116758961A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310832631.9

申请日：2023-07-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李乔 , 党红洋 , 高聪明 , 张一鸣 , 吴荣鑫 , 沈志荣 , 舒继武

IPC: G11C16/10 , G11C8/14

Abstract: 本申请公开了一种高密度3D闪存两步编程方法，涉及闪存编程优化的技术领域，其包括S1：在3D QLC闪存的第二步编程中，识别待编程字线中已经被无效的页面；S2：确定无效页面数量与无效页面类型，即属于LSB、MSB、CSB、TSB中的哪种页面；S3：根据页面类型，结合存储元存储数据所属的电压状态，对数据进行重新编码，修改待编程字线的目标电压状态；S4：执行第二步编程。本申请能够降低有效页的出错，提高闪存数据的可靠性，提升编程效率，降低编程能耗，更加完善了两步编程技术。

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