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公开(公告)号：CN115602714A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211382652.7
申请日：2022-11-07
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司(CN)
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。
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