公开(公告)号：CN118459471A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410493726.7

申请日：2024-04-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  赵玉龙 ,  尹政 ,  陈晨玉 ,  崔雅欣 ,  董行健 ,  许可馨

IPC: C07D487/08 ,  C09K11/06 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明公开了基于A‑D‑A结构的荧光传感材料的制备方法和识别I‑的应用。属于荧光传感材料领域。基于A‑D‑A结构的荧光传感材料的结构通式为：#imgabs0#其中，Ar为以下结构式中的任意一种：#imgabs1#R为以下基团结构中的任意一种：#imgabs2#本发明以咔唑基大环为D(给体)，基团R为A(受体)，设计这样一种A‑D‑A(受体‑给体‑受体)结构的荧光传感材料，可通过增加受体基团增强大环主体分子对目标阴离子的识别能力，在存在目标阴离子时，荧光传感材料的光学性质发生改变，从而实现对阴离子的识别。本发明还涉及制备方法，包括材料的合成、表征和功能化等步骤。本发明的荧光传感材料具有高选择性、灵敏度和稳定性，在水质监测、环境保护和生物医学等领域具有广泛的应用前景。