公开(公告)号：CN117295380A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311019243.5

申请日：2023-08-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗志敏 ,  连建辉 ,  沈闯 ,  刘志琦 ,  王声恒

IPC: H10K85/10 ,  H10K30/30 ,  H10K30/60 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  G01N21/359 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种通过相变诱导带隙变窄实现近红外III区(NIR‑III)高效光电检测的DPP‑DTT@t‑Sb光电探测器及其制备方法，属于近红外光电探测器领域。包括自下而上依次设置的衬底、半导体层和金属电极；所述衬底为Si/SiO2衬底；所述半导体层为掺杂了质量百分比为10％四方相Sb(t‑Sb)混合物的DPP‑DTT；所述t‑Sb为通过对六方相Sb(h‑Sb)实施相变工程而形成的四方相Sb(t‑Sb)；所述金属电极为Au金属电极。其中通过将六方相Sb(h‑Sb)实施相变工程形成四方相Sb(t‑Sb)，显著提高此光电探测器NIR光吸收及光电探测性能，增强光响应电流增益和灵敏度，使得其在NIR‑III区域实现优异的高探测度。