超小Bi@Au肖特基异质结构的制备方法及其用途

    公开(公告)号:CN116060616B

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202310079405.8

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种超小Bi@Au肖特基异质结构的制备方法,其包括如下步骤:S1、在惰性气氛中,将铋金属粉末与正丁基锂溶液充分混匀,除去正丁基锂溶液后,加入聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液,超声处理,使铋金属粉末被剥离开;S2、将步骤S1得到的产物进行离心洗涤纯化,得到超小铋纳米点的乙醇溶液;S3、在所述超小铋纳米点的乙醇溶液中依次加入聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液、抗坏血酸溶液和氯金酸溶液,进行还原反应,在超小铋纳米点表面通过化学还原氯金酸生成金,得到所述的超小Bi@Au肖特基异质结构。本发明制备的超小Bi@Au肖特基异质结构具有良好的生物相容性和良好的放疗增敏效果,在肿瘤治疗方面有着广泛的应用前景。

    一种DPP-DTT@t-Sb光电探测器及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN117295380A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311019243.5

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种通过相变诱导带隙变窄实现近红外III区(NIR‑III)高效光电检测的DPP‑DTT@t‑Sb光电探测器及其制备方法,属于近红外光电探测器领域。包括自下而上依次设置的衬底、半导体层和金属电极;所述衬底为Si/SiO2衬底;所述半导体层为掺杂了质量百分比为10%四方相Sb(t‑Sb)混合物的DPP‑DTT;所述t‑Sb为通过对六方相Sb(h‑Sb)实施相变工程而形成的四方相Sb(t‑Sb);所述金属电极为Au金属电极。其中通过将六方相Sb(h‑Sb)实施相变工程形成四方相Sb(t‑Sb),显著提高此光电探测器NIR光吸收及光电探测性能,增强光响应电流增益和灵敏度,使得其在NIR‑III区域实现优异的高探测度。

    超小Bi@Au肖特基异质结构的制备方法及其用途

    公开(公告)号:CN116060616A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310079405.8

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种超小Bi@Au肖特基异质结构的制备方法,其包括如下步骤:S1、在惰性气氛中,将铋金属粉末与正丁基锂溶液充分混匀,除去正丁基锂溶液后,加入聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液,超声处理,使铋金属粉末被剥离开;S2、将步骤S1得到的产物进行离心洗涤纯化,得到超小铋纳米点的乙醇溶液;S3、在所述超小铋纳米点的乙醇溶液中依次加入聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液、抗坏血酸溶液和氯金酸溶液,进行还原反应,在超小铋纳米点表面通过化学还原氯金酸生成金,得到所述的超小Bi@Au肖特基异质结构。本发明制备的超小Bi@Au肖特基异质结构具有良好的生物相容性和良好的放疗增敏效果,在肿瘤治疗方面有着广泛的应用前景。

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