公开(公告)号：CN119640204A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411759915.0

申请日：2024-12-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 晏善成 ,  汪凯丽 ,  顾正伟 ,  刘昊 ,  孙华斌 ,  范霖 ,  靳知翰 ,  黄天赐

IPC: C23C14/08 ,  C01B19/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01S3/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种多样α相氧化碲纳米材料及其制备方法和用途，该纳米材料是通过化学气相沉积法沉积在衬底表面的α相氧化碲纳米片、纳米线或者纳米折线。制备方法是将碲粉末平铺放置石英舟前端，粉末上方放置衬底；将石英舟放置高温快速退火炉中，在氧气气氛，高温反应1~4h，Te粉末经历热蒸发过程，转化为气态的Te分子，这些分子随后与氧气发生反应，生成气态的TeO2分子；反应结束后冷却至室温，TeO2分子在基底表面凝结，衬底上CVD生长出多样α相氧化碲纳米结构，基底作为成核位点，促进了TeO2籽晶的形成。所得纳米材料具有尺寸均匀、形状规整、表面光滑、边界清晰的特点，并且与基底的结合非常牢固，具备出色的稳定性；在电子、光学和能源产业等多个领域展现出广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN118600541A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410726660.1

申请日：2024-06-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 晏善成 ,  汪凯丽 ,  刘昊 ,  孙华斌 ,  王俊 ,  徐欣 ,  范霖 ,  崔胜男

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明公开了一种β相氧化碲纳米片材料的制备方法，属于新型电子材料领域。制法包括：将碲粉平铺放入石英舟的一端，然后取清洁的硅基板覆盖在碲粉上方但不与碲粉接触，将石英舟送入高温真空退火炉的中心，通入氧气，在氧气气氛下，于460～500℃、0.05～0.15Mpa的条件下反应，结束后冷却至室温，在硅基板上获得白色产物，即为β相氧化碲纳米片材料。与现有技术相比，本发明制备方法简单、成本低廉，制备的β相氧化碲纳米片材料纳米形貌良好，与衬底结合牢固度且稳定性强，在未来的透明电子、光电器件和节能显示器的发展中具有很好应用前景。