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公开(公告)号:CN114890452B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202210546112.1
申请日:2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域,公开了一种X射线闪烁体的制备方法,该方法将材料利用机械法制备成金属卤化物粉末,然后将制得的金属卤化物粉末与载体混合,使用涂布机制备X射线闪烁体;金属卤化物粉末与载体的混合比例为金属卤化物粉末占薄膜总质量的25%‑95%。本发明实现的X射线闪烁体采用低温工艺制备,操作简单、可控性强、可重复性好,可具有很好的柔韧性,可根据测试需求任意变换形状,并且利于制备大面积X射线闪烁体,检测限低、灵敏度高、成像分辨率高,可实现大规模工业化生产。
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公开(公告)号:CN114836818B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202210545395.8
申请日:2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域,公开了一种Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿闪烁晶体的制备方法,首先将原料加入溶剂制得饱和前驱体溶液,然后将饱和前驱体溶液使用反溶剂法制得晶体。本发明的Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿晶体制备时采用反溶剂法,操作简单、可控性强,能够实现大规模工业化生产;同时采用该方法制备的晶体透明度好、稳定性好、量子发光效率高,并且检测限低、无生物毒性、辐照耐性强,具有优异的核辐射探测性能。
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公开(公告)号:CN114836818A
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN202210545395.8
申请日:2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明属于材料技术领域,公开了一种Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿闪烁晶体的制备方法,首先将原料加入溶剂制得饱和前驱体溶液,然后将饱和前驱体溶液使用反溶剂法制得晶体。本发明的Cs5Cu3Cl6I2钙钛矿晶体制备时采用反溶剂法,操作简单、可控性强,能够实现大规模工业化生产;同时采用该方法制备的晶体透明度好、稳定性好、量子发光效率高,并且检测限低、无生物毒性、辐照耐性强,具有优异的核辐射探测性能。
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公开(公告)号:CN114890452A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210546112.1
申请日:2022-05-19
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域,公开了一种X射线闪烁体的制备方法,该方法将材料利用机械法制备成金属卤化物粉末,然后将制得的金属卤化物粉末与载体混合,使用涂布机制备X射线闪烁体;金属卤化物粉末与载体的混合比例为金属卤化物粉末占薄膜总质量的25%‑95%。本发明实现的X射线闪烁体采用低温工艺制备,操作简单、可控性强、可重复性好,可具有很好的柔韧性,可根据测试需求任意变换形状,并且利于制备大面积X射线闪烁体,检测限低、灵敏度高、成像分辨率高,可实现大规模工业化生产。
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