公开(公告)号：CN115799379A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211645057.8

申请日：2022-12-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  蒋俊杰 ,  宋年华 ,  程方龙 ,  高党辉 ,  段爽 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，感光晶体管和读取晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括第一底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅，读取晶体管设有源端和漏端，读取晶体管的衬底上还依次设有第二底层介质层和选择栅，第二底层介质层和选择栅与复合介质栅为独立的两部分。本发明光敏探测器的读出方式包括通过在线性区读电流的方式或者通过源跟随读电压的方式。本发明基于多栅结构的复合介质栅光敏探测器为传统的复合介质栅光敏探测器提供了降低噪声和多种读出方式和工作模式的选择，为复合介质栅光敏探测器在成像应用上提供了更多的选择和功能。

公开(公告)号：CN115799379B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202211645057.8

申请日：2022-12-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  刘泉 ,  朱千琳 ,  蒋俊杰 ,  宋年华 ,  程方龙 ,  高党辉 ,  段爽 ,  马浩文 ,  卜晓峰

IPC: H10F30/282 ,  H10F30/28

Abstract: 本发明公开了一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，感光晶体管和读取晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括第一底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅，读取晶体管设有源端和漏端，读取晶体管的衬底上还依次设有第二底层介质层和选择栅，第二底层介质层和选择栅与复合介质栅为独立的两部分。本发明光敏探测器的读出方式包括通过在线性区读电流的方式或者通过源跟随读电压的方式。本发明基于多栅结构的复合介质栅光敏探测器为传统的复合介质栅光敏探测器提供了降低噪声和多种读出方式和工作模式的选择，为复合介质栅光敏探测器在成像应用上提供了更多的选择和功能。