大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN104131352B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201410340735.9

    申请日:2014-07-17

    Abstract: 本发明公开了大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法,将PbI2用HI溶液溶解,配制Pb2+-HI溶液;将HI溶液与CH3NH2溶液按摩尔比1:1混合,在0℃下反应2h,得到CH3NH3I溶液;将上述Pb2+-HI溶液与CH3NH3I溶液混合,其中CH3NH3I与Pb2+的摩尔比为(1~2):1,于95℃下预热48~72h,得到过饱和溶液,过滤,得到CH3NH3PbI3晶体生长的母液;于95.5~96℃的水浴中预热12~24h,置于晶体生长容器中,程序降温至45℃后保持恒温,得到CH3NH3PbI3晶体。本发明工艺中HI溶液既参与原料合成,又是晶体生长的溶剂,具有合成工艺简单,副反应少的优点;生长装置简易,能生长出高质量、大尺寸的晶体。

    一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术

    公开(公告)号:CN104833677B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201510227560.5

    申请日:2015-05-06

    Abstract: 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术,使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线,包括晶体生长槽和生长槽温度控制器,晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔,首先在室温下量取适量晶体生长溶液,加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中;称取晶体,从补料孔加入到晶体生长槽中;待晶体充分溶解,通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度,与此同时,通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术,操作简单,易于观察,精度高,适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体的测定。

    大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN104131352A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410340735.9

    申请日:2014-07-17

    Abstract: 本发明公开了大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法,将PbI2用HI溶液溶解,配制Pb2+-HI溶液;将HI溶液与CH3NH2溶液按摩尔比1:1混合,在0℃下反应2h,得到CH3NH2I溶液;将上述Pb2+-HI溶液与CH3NH2I溶液混合,其中CH3NH2I与Pb2+的摩尔比为(1~2):1,于95℃下预热48~72h,得到过饱和溶液,过滤,得到CH3NH3PbI3晶体生长的母液;于95.5~96℃的水浴中预热12~24h,置于晶体生长容器中,程序降温至45℃后保持恒温,得到CH3NH3PbI3晶体。本发明工艺中HI溶液既参与原料合成,又是晶体生长的溶剂,具有合成工艺简单,副反应少的优点;生长装置简易,能生长出高质量、大尺寸的晶体。

    一种掺铕氧化钇钆纳米多晶发光粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN104263369A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410488790.2

    申请日:2014-09-23

    Abstract: 一种掺铕氧化钇钆纳米多晶发光粉体的制备方法,涉及纳米材料领域,制备步骤如下:(1)配制不同物质的量浓度的Gd(NO3)3、Y(NO3)3和Eu(NO3)3溶液;(2)称取柠檬酸加入上述混合硝酸盐溶液;控制混合液温度和pH;(3)将上述浅黄色溶液进行加热浓缩燃烧,得到前驱物粉体;(4)收集前驱物粉体,经研磨分散后进行煅烧,获得目标粉体。本发明采用的溶胶凝胶-燃烧法,结合了溶胶-凝胶法和燃烧法的优势,一方面在溶胶形成过程中,各组分在溶液中进行,可以达到原子、分子水平的均匀混合;另一方面络合剂既是反应物又是燃料,整个反应速度快,效率高,合成的产物质量高,且合成的粉体分散性好,粒度均匀,发光性能好。

    一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术

    公开(公告)号:CN104833677A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510227560.5

    申请日:2015-05-06

    Abstract: 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术,使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线,包括晶体生长槽和生长槽温度控制器,晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔,首先在室温下量取适量晶体生长溶液,加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中;称取晶体,从补料孔加入到晶体生长槽中;待晶体充分溶解,通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度,与此同时,通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术,操作简单,易于观察,精度高,适用于多数无机、有机以及有机-无机杂合溶液晶体的测定。

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