公开(公告)号：CN117238738B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311502089.7

申请日：2023-11-13

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 魏世宗 ,  徐季 ,  林丛远 ,  汪敏霞

IPC: H01J31/06 ,  H01J29/46 ,  H01J9/14 ,  H01J9/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道；依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极；本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小，真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程，使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式，具有高响应速度、高截止频率；沟道向内凹，降低电子与介质层的碰撞，提高器件稳定性。

公开(公告)号：CN117238738A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311502089.7

申请日：2023-11-13

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 魏世宗 ,  徐季 ,  林丛远 ,  汪敏霞

IPC: H01J31/06 ,  H01J29/46 ,  H01J9/14 ,  H01J9/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道；依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极；本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小，真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程，使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式，具有高响应速度、高截止频率；沟道向内凹，降低电子与介质层的碰撞，提高器件稳定性。