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公开(公告)号：CN100516141C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610040169.5
申请日：2006-04-30
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种聚砜类/铸型尼龙6复合材料的阴离子原位制备方法。其原料包括己内酰胺、聚砜类、催化剂、活化剂等，首先将己内酰胺单体加热熔化，真空脱水，加入催化剂，继续真空脱水，后加入聚砜类树脂，磁力搅拌，使聚砜在己内酰胺熔体中充分溶解直至其均匀分散，加入活化剂，迅速混合均匀后浇铸到预热的模具中，脱模，即得聚砜类/铸型尼龙6复合材料。用本发明方法制备的原位复合材料，其拉伸强度、拉伸弹性模量、弯曲强度、弯曲弹性模量都有一定的提高，特别是耐热性，较纯铸型尼龙有大幅度的改善，提高了近80℃。
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公开(公告)号：CN106217235A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610572926.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 华侨大学 , 福建晶安光电有限公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/10
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，它通过对双面研磨后的晶片进行第一次腐蚀-粗抛-第二次腐蚀-精抛复合加工，即先通过强酸腐蚀以在较短时间去除双面研磨所产生的损伤层，接着通过粗抛较短时间，以在晶片表面重新产生一层较小的损伤层，再次通过强酸腐蚀后，以使晶片表面已较为光滑，最后只需通过较短时间的精抛即可获得符合要求的超光滑、无损伤的晶片表面，能够快速获得超光滑无损伤的晶片表面，大大提高了蓝宝石晶片抛光效率，可在提高加工速率的前提下降低生产成本，同时提高产品优良率。
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公开(公告)号：CN1865351A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610040169.5
申请日：2006-04-30
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种聚砜类/MC尼龙6复合材料的阴离子原位制备方法。其原料包括己内酰胺、聚砜类、催化剂、活化剂等，首先将己内酰胺单体加热熔化，真空脱水，加入催化剂，继续真空脱水，后加入聚砜类树脂，磁力搅拌，使聚砜在己内酰胺熔体中充分溶解直至其均匀分散，加入活化剂，迅速混合均匀后浇铸到预热的模具中，脱模，即得聚砜类/MC尼龙6复合材料。用本发明方法制备的原位复合材料，其拉伸强度、拉伸弹性模量、弯曲强度、弯曲弹性模量都有一定的提高，特别是耐热性，较纯MC尼龙有大幅度的改善，提高了近80℃。
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公开(公告)号：CN106217235B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610572926.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 华侨大学 , 福建晶安光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，它通过对双面研磨后的晶片进行第一次腐蚀‑粗抛‑第二次腐蚀‑精抛复合加工，即先通过强酸腐蚀以在较短时间去除双面研磨所产生的损伤层，接着通过粗抛较短时间，以在晶片表面重新产生一层较小的损伤层，再次通过强酸腐蚀后，以使晶片表面已较为光滑，最后只需通过较短时间的精抛即可获得符合要求的超光滑、无损伤的晶片表面，能够快速获得超光滑无损伤的晶片表面，大大提高了蓝宝石晶片抛光效率，可在提高加工速率的前提下降低生产成本，同时提高产品优良率。
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