公开(公告)号：CN105914570A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610429584.3

申请日：2016-06-16

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 罗惜照 ,  唐霞辉 ,  杨威 ,  秦应雄 ,  严拓 ,  谈贤杰 ,  黄成源

IPC: H01S3/08

CPC classification number: H01S3/08068 ,  H01S3/08081

Abstract: 本发明提供了一种复曲面反射镜非稳波导混合型激光谐振腔，包括反射镜、放电极板和输出镜；反射镜和输出镜均为复曲面反射镜，所述复曲面反射镜的复曲面在非稳方向上的曲线形状为抛物线，在波导方向上的曲线形状为圆弧。本发明具有模式体积大，输出功率高的特点，能够实现利用增加反射镜面与工作介质横向宽度提高功率的方案，有效避免了其中一侧反射镜漏光，可以用于中、高功率气体激光器。本发明在非稳方向大尺寸镜面情况下输出光束仍具有很好的模式鉴别特性，能够减小镜面加工误差和热形变造成的影响，有效避免高阶模式输出，提供更大的设计余量。

公开(公告)号：CN103700726B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310733870.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 秦应雄 ,  王雪 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，包括以下步骤：（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电池片细栅重合，掩膜板和晶体硅片紧贴；（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。

公开(公告)号：CN103700726A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310733870.5

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 秦应雄 ,  王雪 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂方法，包括以下步骤：（1）将晶体硅片清洗并织构化，采用热扩散工艺对硅片进行初步杂质扩散，使得晶体硅片表面形成一预涂层；（2）将晶体硅片送至掩膜板正下方，使晶体硅片的几何中心与掩膜板的几何中心重合，掩膜板的漏光缝隙与晶体硅片上的电池片细栅重合，掩膜板和晶体硅片紧贴；（3）使用条形均匀激光束进行激光扫描掺杂。与现有技术相比，本发明更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。

公开(公告)号：CN203674244U

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201320868161.3

申请日：2013-12-26

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王雪 ,  秦应雄 ,  张洋 ,  余建堤 ,  谈贤杰 ,  周日发

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型提供了一种高效选择性发射极太阳电池激光掺杂掩膜板，包括一框架，以及平行固定在框架内的若干个三棱柱体，所述三棱柱体的底面为等腰三角形，每个三棱柱体的侧表面均为聚光面，所述聚光面上镀有一层反射膜。与现有技术相比，本实用新型更加充分的利用激光能量，既能避免蓝光响应降低，又可以避免PN结局部击穿，在提高激光掺杂效率的同时也提高了掺杂深度的均匀性，减少了因为局部掺杂导致的电池形变不均匀。