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公开(公告)号:CN120091747A
公开(公告)日:2025-06-03
申请号:CN202510225924.X
申请日:2025-02-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10K71/60 , H10K10/29 , H10K85/20 , H10K19/00 , H10K71/10 , G06N3/063 , G06N3/08 , G06F18/213 , G06F18/20 , G06F18/241 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管异质结器件的制备方法,包括:采用溅射和剥离工艺在含有二氧化硅的硅片衬底上制备预图形化的Au/Ni薄膜金属电极,其中电极间距为1.5~2μm,电极宽度和间距比为15~30;以及采用介电电泳技术在电极之间装配碳纳米管,其中碳纳米管与电极之间形成异质结节点阵列,硅片通过引线键合技术与外部转接板相连,其中外部转接板用于对异质结节点阵列输入和采集电信号。通过本发明制备的碳纳米管异质结器件用于储备池构建,提供高效的储备池计算,通过对碳纳米管异质结单节点进行掩膜扩展,实现拓扑可重构且物理实现复杂度极低的储备池,满足高复杂度任务的需求。
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公开(公告)号:CN120046669A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510088627.5
申请日:2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063 , G16C60/00 , G06N3/045 , G06N3/0442
Abstract: 本发明属于新型计算硬件领域,公开了一种混合拓扑结构的微纳材料物理储备池及相应的计算系统,其中,混合拓扑结构的微纳材料物理储备池包括连接板,以及分别位于该连接板正反面上的第一、第二微纳材料网络物理储备池;这2个微纳材料网络物理储备池独立的选自ESN、LSM;这两个网络的节点进行堆叠或者并联。本发明通过在同一块连接板的正、反两面分别构建第一和第二微纳材料网络物理储备池如此形成混合拓扑结构的物理储备池,能够提高系统的非线性映射能力和并行处理能力,降低训练的复杂度,能够解决现有的碳纳米管物理储备池计算性能低、规模受限的技术问题。
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