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公开(公告)号:CN118392908A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410596281.5
申请日:2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本申请属于固态核磁共振领域,具体公开了用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请,通过3He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境,通过位置调节构件,调节样品在磁场中的位置,使其处在高均匀的磁场范围内;采用双通道测量电路,其中一通道测量样品的NMR信号,另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度,结合双通道的测量可以得到样品的化学(奈特)位移,降低了核磁共振实验的误差,从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。
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公开(公告)号:CN118392908B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202410596281.5
申请日:2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N24/08
Abstract: 本申请属于固态核磁共振领域,具体公开了用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请,通过3He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境,通过位置调节构件,调节样品在磁场中的位置,使其处在高均匀的磁场范围内;采用双通道测量电路,其中一通道测量样品的NMR信号,另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度,结合双通道的测量可以得到样品的化学(奈特)位移,降低了核磁共振实验的误差,从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。
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