Patent search ap:("华东光电集成器件研究所") AND inv:"方宇" Page 1

1.

发明公开
一种高可靠绝缘金丝键合方法审中-实审

公开(公告)号：CN118943109A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411007323.3

申请日：2024-07-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 胡郅贤 , 张乐银 , 方宇 , 陈龙鑫

IPC: H01L23/49 , H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种高可靠绝缘金丝键合方法，包括以下步骤：S1：选取待键合的两种芯片，将两种芯片粘接到管壳内部；S2：根据键合图纸，对管壳、芯片表面特征点进行图像识别，进行键合程序开发；S3：在其中一个芯片的焊盘上植金球；S4：从另一个芯片上的焊盘通过绝缘金丝进行连线，连线采用调节线弧模式压焊在金球上；S5：对焊接好的键合金丝进行可靠性检测。本发明基于绝缘金丝键合工艺，采用BSOB线弧配合调节线弧模式，确保键合后绝缘金丝强度满足测试要求，避免出现因绝缘金丝键合强度不足引起的器件失效。

Patent Agency Ranking