公开(公告)号：CN113549867A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110780775.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  周吉 ,  李成明 ,  石志城 ,  白明洁 ,  李世谕 ,  李淑同 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  安康 ,  郑宇亭 ,  张建军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/48 ,  F28F21/02

Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。

公开(公告)号：CN113549867B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202110780775.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  周吉 ,  李成明 ,  石志城 ,  白明洁 ,  李世谕 ,  李淑同 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  安康 ,  郑宇亭 ,  张建军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/48 ,  F28F21/02

Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。

公开(公告)号：CN113241294A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110432576.5

申请日：2021-04-21

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 郑宇亭 ,  刘金龙 ,  李成明 ,  刘彦辉 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  李文君 ,  石志城 ,  欧阳晓平

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种低场发射开启阈的中空金刚石纳米线阵群的制备方法，属于半导体器件制备领域。将掺杂浓度为1×1021cm‑3到1×1023cm‑3硼掺杂金刚石经过精密研磨抛光控制使其表面粗糙度在80‑120nm范围内。随后将其与Si陪片一同在O2和Cl2气源比例为2:1至10:1的条件下进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀20‑90min。接着通过将刻蚀后的硼掺杂金刚石片在5‑7kPa，温度600‑800℃的条件下氢等离子体处理5‑30min，从而得到具有超低场发射开启电压阈值的高密度、高长径比中空氢终端金刚石纳米线阵群，以用于高性能电子发射器件等。