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公开(公告)号：CN112226653A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011053461.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于铝合金技术领域,涉及一种适于半固态成形的过共晶铝硅合金和制备方法及成形工艺。制备过程中一是收集初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的半固态过共晶铝硅合金浆料，将所述半固态过共晶铝硅合金浆料送往压铸机或挤压铸造机的压室，进行半固态流变成形，获得初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的高品质耐磨压铸件或挤压铸件。二是采用电磁感应加热方式将所述完全凝固的半固态过共晶铝硅合金固态坯料重新加热到其固液两相区，将该坯料送往压铸机或挤压铸造机的压室，进行半固态触变成形，获得初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的高品质耐磨压铸件或挤压铸件。本发明在压铸件和挤压铸件保持较高强度的同时，塑性得到明显改善，伸长率可达到3.5％。
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公开(公告)号：CN120064349A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510117556.7
申请日：2025-01-24
IPC: G01N23/2055 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于中子飞行时间技术的单晶单像素数据采集及解析方法，该方法包括：对待测单晶进行初步定向；对待测单晶进行TOF衍射实验，依据初步定向的结果将待测晶面的衍射斑点转动到探测器的指定位置；依据探测器上的单像素衍射数据筛选目标像素，得到目标像素位置及其衍射谱；对其进行拟合处理，获取各像素点特定衍射晶面的晶面间距、半高宽；计算不同目标像素的点阵应变，绘制目标像素特定晶面的晶面间距分布图、点阵应变分布图、半高宽分布图，对于单晶高温合金还可以绘制错配度分布图。本发明可以提取单晶材料衍射体积内不同区域的微结构信息，对完善单晶材料设计、制备生产工艺、服役损伤评价和提高材料服役寿命具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116105904A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310016372.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种残余应力梯度的无损测量方法。其实验平台主要包括一台能量不低于15keV的直通光X射线源、一台面探测器和一台样品加载装置，整体采用透射几何模式。在未加载状态下，使入射X射线从试样一侧扫描至另一侧，获得样品不同层内X、Y方向上晶面{hkl}的晶面间距d值。试样不同层处{hkl}晶面在无应力状态下的晶面间距d0值则根据样品在弹性变形阶段不同应力状态下d‑sin2ψ关系的交点确定。根据胡克定律，最终计算出材料在不同层处X、Y方向上的残余应力梯度。该发明可以快速实现材料内部两个方向上的残余应力梯度的无损测量，准确评价材料内部残余应力的变化情况，有助于完善材料的设计和强化工艺，最终提高材料构件的服役寿命。
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公开(公告)号：CN112226653B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011053461.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于铝合金技术领域,涉及一种适于半固态成形的过共晶铝硅合金和制备方法及成形工艺。制备过程中一是收集初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的半固态过共晶铝硅合金浆料，将所述半固态过共晶铝硅合金浆料送往压铸机或挤压铸造机的压室，进行半固态流变成形，获得初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的高品质耐磨压铸件或挤压铸件。二是采用电磁感应加热方式将所述完全凝固的半固态过共晶铝硅合金固态坯料重新加热到其固液两相区，将该坯料送往压铸机或挤压铸造机的压室，进行半固态触变成形，获得初生硅充分细化和同时共晶硅有效变质的高品质耐磨压铸件或挤压铸件。本发明在压铸件和挤压铸件保持较高强度的同时，塑性得到明显改善，伸长率可达到3.5％。
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