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公开(公告)号：CN111884622B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010639282.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。
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公开(公告)号：CN111884622A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010639282.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111478680A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010309140.2
申请日：2020-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
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公开(公告)号：CN111478680B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010309140.2
申请日：2020-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
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公开(公告)号：CN114373614A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210038799.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F27/42
Abstract: 一种高线性高频有源电感属于电路领域，包括可调正跨导单元(1)，可调高线性负跨导单元(2)，反馈单元(3)，等效负电容‑负电阻单元(4)共4个单元。可调正跨导单元(1)的输出端与反馈单元(3)的第一端连接，反馈单元(3)的第二端与可调高线性负跨导单元(2)的输入端连接，可调高线性负跨导单元(2)的输出端同时与可调正跨导单元(1)的输入端相连和等效负电容‑负电阻单元(4)并联。所述4个单元及其2个调节端(Vtune1和Vtune2)的分工合作，不但使得可调正跨导单元(1)中第一N型MOS晶体管(M1)的栅极实现自偏压，且使得该有源电感具有宽频带，高频下大电感值、Q值及其可调节性、高线性等综合性能。
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公开(公告)号：CN111446930A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010296951.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F3/195
Abstract: 一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
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公开(公告)号：CN111446930B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010296951.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F3/195
Abstract: 一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
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