公开(公告)号：CN102593352A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210041447.4

申请日：2012-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭胜虎 ,  张丽杰 ,  潘岳 ,  黄英龙 ,  杨庚宇 ,  唐昱 ,  毛俊 ,  蔡一茂

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发明避免了传统方法中淀积阻变材料层的步骤，大幅降低了工艺复杂度。同时可以实现阻变材料层与底电极的自对准。保证器件之间的完全隔离。避免了传统工艺方法产生的众多寄生效应。同时保证了器件的实际面积与设计面积一致。