公开(公告)号：CN112038882B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202010853755.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈建军 ,  张国瑞 ,  李智 ,  龚旗煌

IPC: H01S4/00 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明提供一种单光子发射体与金属波导的集成结构。所述单光子发射体与金属波导的集成结构包括金属波导和单光子发射体。所述金属波导包括金属层、设于所述金属层上的介质层、及设于所述介质层上的介质条。所述单光子发射体设于所述介质层的表面并被所述介质条覆盖，位于介质层上的单光子发射体处于介质条下表面的中心位置。本发明的单光子发射体与金属波导的集成结构中单光子发射体的自发辐射速率可达到22～30。

公开(公告)号：CN112038882A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010853755.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈建军 ,  张国瑞 ,  李智 ,  龚旗煌

IPC: H01S4/00 ,  G02B6/42

Abstract: 本发明提供一种单光子发射体与金属波导的集成结构。所述单光子发射体与金属波导的集成结构包括金属波导和单光子发射体。所述金属波导包括金属层、设于所述金属层上的介质层、及设于所述介质层上的介质条。所述单光子发射体设于所述介质层的表面并被所述介质条覆盖，位于介质层上的单光子发射体处于介质条下表面的中心位置。本发明的单光子发射体与金属波导的集成结构中单光子发射体的自发辐射速率可达到22～30。