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公开(公告)号：CN113091773B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110254601.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法，该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型，能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系，估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持，提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像，有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。
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公开(公告)号：CN113091773A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110254601.5
申请日：2021-03-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移估算方法，该方法建立了描述惠斯通电桥式传感器零位温度漂移的准线性模型。利用这一准线性模型，能够推导惠斯通电桥式传感器零位的理论温度依赖关系，估算惠斯通电桥式传感器在任意温度下的零位温度漂移量。为惠斯通电桥式传感器的校准提供数据支持，提高惠斯通电桥式传感器的校准精度。上述准线性模型为解释惠斯通电桥式传感器的零位温度漂移的原因提供了一个清晰的物理图像，有助于理解惠斯通电桥式传感器产生温度漂移的原因。并且该准线性模型适用于惠斯通电桥式磁阻传感器、采用惠斯通电桥结构的称重元件、温度传感器、电场传感器等其它惠斯通电桥结构传感器。
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公开(公告)号：CN110308476B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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公开(公告)号：CN110308476A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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