公开(公告)号：CN113343520A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110578205.8

申请日：2021-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 崔健 ,  赵前程 ,  刘梦霞

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，涉及微机电传感器技术领域，采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。

公开(公告)号：CN113343520B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110578205.8

申请日：2021-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 崔健 ,  赵前程 ,  刘梦霞

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/08

Abstract: 本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，涉及微机电传感器技术领域，采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。