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公开(公告)号：CN117479231A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311366326.1
申请日：2023-10-20
Applicant: 北京大学武汉人工智能研究院
IPC: H04W28/08 , H04W28/086 , H04L47/127 , H04L47/125
Abstract: 本发明公开了一种基于流量预测和强化学习的负载均衡优化方法及装置，涉及无线通信技术领域，该方法包括构建得到网络流量数据的时空事件立方体数据集；对时空事件立方体数据集进行全连接层操作，进行特征提取并通过交叉融合进行多域信息融合；通过两层相同的多域提取和交叉融合操作，并经过两层全连接网络得到流量预测结果，实现预测模型的训练；预测得到不同主从小区基站的未来流量值，根据位置信息，对主从小区进行是否参与负载均衡的分类；基于当前从小区的负载均衡需求，根据小区边缘终端设备的比例和预测得到的未来流量值，计算得到当前从小区的CIO调整方案，实现负载均衡。本发明能够有效实现移动通信网络的负载均衡。
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公开(公告)号：CN104730625A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510157698.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法。本发明的表面等离激元模式转换器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数，从而实现了不同模式表面等离激元的效率可控转换；模式转换的效率最多可以高达90％。本发明为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利；同时该表面等离激元模式转换器还具有几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN119728556A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411829741.0
申请日：2024-12-12
Applicant: 北京大学武汉人工智能研究院
IPC: H04L47/127
Abstract: 本发明公开了一种基于流量预测和强化学习的天线下倾角优化方法及系统，涉及无线通信技术领域。构建目标区域内基站的网络流量数据的时空事件立方体数据集；根据时空事件立方体数据集得到流量预测模型；通过流量预测模型预测目标区域中每个基站的未来流量值；根据每个基站的未来流量值和三维位置信息，对基站进行是否参与天线下倾角调整的聚类分析后，确定需要进行天线下倾角调整的基站。本发明获得精确的网络流量预测后，基于预测流量和用户的地理位置进行天线下倾角调整的聚类分析，并通过深度强化学习算法对基站间的天线下倾角进行协同优化调整，从而有效实现移动通信网络资源的合理调度与利用。
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公开(公告)号：CN104733998B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510158732.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构宽带SPPs单向激发器及控制方法。本发明的宽带表面等离激元单向激发器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控结构中主纳米沟槽和附加纳米沟槽的深度调控所激发SPPs的相对振幅和相位差，实现了SPPs的单向激发，进一步，使纳米沟槽内不同模式之间的干涉效应变得对波长的依赖不敏感，从而实现了带宽达到220nm的宽带SPPs的单向激发器。本发明的SPPs的单向激发器同时还具有高SPPs激发效率和高消光比等高性能，和几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733997B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510157697.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称纳米沟槽结构双色表面等离激元分束器及分束方法。本发明的双色表面等离激元分束器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控结构中主纳米沟槽和附加纳米沟槽的深度调控所激发SPPs的相对振幅和相位差，在第一个工作波长下实现了SPPs向一个方向上的单向激发，进一步通过利用三阶波导模式所激发的SPPs贡献，在更短的第二个工作波长下实现了SPPs向相反方向上的单向激发。本发明同时还具有高SPPs激发效率和高消光比等高性能，以及几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104733997A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510157697.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称纳米沟槽结构双色表面等离激元分束器及分束方法。本发明的双色表面等离激元分束器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控结构中主纳米沟槽和附加纳米沟槽的深度调控所激发SPPs的相对振幅和相位差，在第一个工作波长下实现了SPPs向一个方向上的单向激发，进一步通过利用三阶波导模式所激发的SPPs贡献，在更短的第二个工作波长下实现了SPPs向相反方向上的单向激发。本发明同时还具有高SPPs激发效率和高消光比等高性能，以及几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104730625B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510157698.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法。本发明的表面等离激元模式转换器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数，从而实现了不同模式表面等离激元的效率可控转换；模式转换的效率最多可以高达90％。本发明为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利；同时该表面等离激元模式转换器还具有几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104733998A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510158732.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构宽带SPPs单向激发器及控制方法。本发明的宽带表面等离激元单向激发器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控结构中主纳米沟槽和附加纳米沟槽的深度调控所激发SPPs的相对振幅和相位差，实现了SPPs的单向激发，进一步，使纳米沟槽内不同模式之间的干涉效应变得对波长的依赖不敏感，从而实现了带宽达到220nm的宽带SPPs的单向激发器。本发明的SPPs的单向激发器同时还具有高SPPs激发效率和高消光比等高性能，和几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN204556881U
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201520200390.7
申请日：2015-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种高效表面等离激元模式转换器。本实用新型的表面等离激元模式转换器包括：金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数，从而实现了不同模式表面等离激元的效率可控转换；模式转换的效率最多可以高达90％。本实用新型为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利；同时还具有几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用。
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