公开(公告)号：CN102079538A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910249892.8

申请日：2009-11-30

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 苏燚 ,  邹小平 ,  程进

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤：一种氧化锌纳米线的自生长方法。包括以下步骤：(1)使用溶液法制备垂直取向的氧化锌纳米棒阵列；(2)将制备的氧化锌纳米棒阵列从溶液中取出，并使用去离子水反复清洗；(3)将用去离子水清洗过的氧化锌纳米棒阵列样品直接放置在空气中保存；(4)在空气中放置7天至30天，通过自生长的方法可以在氧化锌纳米棒阵列样品的表面生长出单晶氧化锌纳米线。

公开(公告)号：CN102031542A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910176638.X

申请日：2009-09-24

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 程进 ,  邹小平 ,  苏燚

IPC: C25D5/48 ,  C25D3/34

Abstract: 开发了抑制电化学沉积铅薄膜氧化的新方法。这种方法通过将电化学沉积得到的新鲜铅薄膜，经过去离子水清洗后，立即放入易挥发性有机溶剂中浸泡清洗，以除去吸附在新鲜铅薄膜表面的水分，使铅发生氧化的媒质去除，从而抑制铅薄膜的氧化。取出后，易挥发性有机溶剂会迅速挥发，自然干燥后的金属铅薄膜能够长期稳定存在空气中。该方法不需要复杂的后处理工艺，操作简便，效果明显，成本低。

公开(公告)号：CN102033169A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910176641.1

申请日：2009-09-24

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 苏燚 ,  邹小平 ,  程进

IPC: G01R29/22

Abstract: 本发明公开了一种测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33的方法，该氧化锌纳米棒阵列薄膜是通过溶液法在金属锌基底上制备所得的c轴择优取向的阵列薄膜，该测量方法是基于激光多普勒原理的激光测振法。包括以下步骤：(1)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上表面镀一层金属导电膜；(2)使用阻抗分析仪测量氧化锌纳米棒阵列薄膜的谐振频率f0；(3)在氧化锌纳米棒阵列薄膜的上下表面加电压U；(4)使用激光测振仪测量，在电压为U的条件下，谐振频率f0附近的氧化锌纳米棒阵列薄膜的振幅ΔL；(5)由公式ΔL＝d33×U，计算可得氧化锌纳米棒阵列薄膜的压电应变常数d33。该方法操作简单，可行性好，灵敏度高，测量准确。