公开(公告)号：CN103140920B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180047023.2

申请日：2011-09-21

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千裕 ,  宫入由香里 ,  小山浩晃

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和漏电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与它们中的至少一层邻接。该半导体的电导率高于绝缘区的电导率。

公开(公告)号：CN103140920A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180047023.2

申请日：2011-09-21

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千裕 ,  原田由香里 ,  小山浩晃

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种可以高质量且低成本制造的薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置。一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和栅电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接。与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分中含有的氢原子浓度设定在1X1020/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值。不与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于1X1020/cm3。

公开(公告)号：CN113557618A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080019922.0

申请日：2020-03-23

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小山浩晃 ,  小泽麻都香

IPC: H01M4/96 ,  H01M8/0273 ,  H01M8/10

Abstract: 本发明提供在提高排水性和气体扩散性的同时抑制催化剂层的裂纹、提高催化剂的利用效率、提高高输出功率下的能量转换效率、并且耐久性良好的固体高分子型燃料电池用催化剂层、膜电极接合体、以及固体高分子型燃料电池。本实施方式的固体高分子型燃料电池用催化剂层包含催化剂(21)、碳粒子(22)、高分子电解质(23)、以及纤维状物质(24)，碳粒子(22)负载着催化剂(21)，具有空隙(25)，在与固体高分子型燃料电池用催化剂层的表面垂直的厚度方向上的剖面中所观察到的空隙(25)当中，截面积为10000nm2以上的空隙(25)的频率所占的比例为13％以上20％以下。