公开(公告)号：CN103140920B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180047023.2

申请日：2011-09-21

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千裕 ,  宫入由香里 ,  小山浩晃

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和漏电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与它们中的至少一层邻接。该半导体的电导率高于绝缘区的电导率。