公开(公告)号：CN101990697B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。

公开(公告)号：CN101981654B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101981654A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101978467A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110193.3

申请日：2009-03-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/30608

Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。

公开(公告)号：CN101946303A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105188.3

申请日：2009-02-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种将退火工序中的基板的膜厚变化降到最小限度、而且达到表面平滑化的方法。一种SOI基板的表面处理方法，其至少包括通过使用等离子的PACE法或使用气体团簇离子束的GCIB法对SOI基板的表面进行处理的工序；以及在氩气氛围中或含有4体积％以下氢气的非活性气体氛围中，对实施了上述处理的SOI基板进行热处理退火的工序。

公开(公告)号：CN101990697A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。