公开(公告)号：CN1099186A

公开(公告)日：1995-02-22

申请号：CN93115685.8

申请日：1993-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂里嘉和 ,  吉冈征四郎 ,  野村一郎 ,  鲈英俊 ,  金子哲也 ,  武田俊彦

IPC: H01J29/46 ,  H01J1/30 ,  H01J37/21

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/316

Abstract: 在包含有一块基片和沉积在该基片上的电子发射元件的电子源中，该电子发射元件包括多个并联电连接的电子发射区，检验它们的电子发射特性，对于那些不正常的电子发射区，切断其电连接。或者，电子发射元件包括通过热切除电子发射区和包括热连接元件的电子发射区成型薄膜。在切断不正常的电子发射区中的连接后，电子发射区成型薄膜连到电源装置上，在该薄膜中制作另一个电子发射区。这种电子源和成像装置使成品率和图像质量被提高了。

公开(公告)号：CN1054233C

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN93115685.8

申请日：1993-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂里嘉和 ,  吉冈征四郎 ,  野村一郎 ,  鲈英俊 ,  金子哲也 ,  武田俊彦

IPC: H01J29/46 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/316

Abstract: 在包含有一块基片和沉积在该基片上的电子发射元件的电子源中，该电子发射元件包括多个并联电连接的电子发射区，检验它们的电子发射特性，对于那些不正常的电子发射区，切断其电连接。或者，电子发射元件包括通过热切除电子发射区和包括热连接元件的电子发射区成形薄膜。在切断不正常的电子发射区中的连接后，电子发射区成形薄膜连到电源装置上，在该薄膜中制作另一个电子发射区。这种电子源和成像装置使成品率和图像质量被提高了。