公开(公告)号：CN102209720A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144369.7

申请日：2009-09-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 宫田康生 ,  吉川荣二

IPC: C07D495/22 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07D495/22 ,  C07D495/04 ,  C09B57/00 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012

Abstract: 式(1)所示的化合物(式中，环结构A和环结构B独立地表示可以被取代的芳环或可以被取代的杂环，环结构C表示可以被取代的苯环、杂环并[3,2-b]杂环或可以被取代的苯并[1,2-b:4,5-b’]二杂环，W、X、Y和Z独立地表示硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、SO2、(R1)-C-(R2)、(R3)-Si-(R4)或N-(R5)，W、X、Y和Z中的至少任意1个为N-(R5)，R1、R2、R3、R4和R5独立地表示氢原子、取代基i、取代基ii、可以被卤原子取代的芳基或可以被卤原子取代的杂芳基，取代基i为选自下述组P中的基团，取代基ii为被取代的选自下述组P中的基团，组P由烷基、烷氧基、烷基取代芳基、烷氧基取代芳基和烷基取代杂芳基构成)。

公开(公告)号：CN101939325A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104369.4

申请日：2009-02-03

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 宫田康生 ,  花冈秀典

IPC: C07D495/04 ,  C07D333/24 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D333/24 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 下述通式(1)所表示的二氢苯并二茚化合物(式中，R1相同或不同，表示氢原子、任选被取代的烷基、任选被取代的烯基、任选被取代的炔基、任选被取代的烷氧基、任选被取代的烷硫基、任选被取代的芳基、任选被取代的芳氧基等；R2～R5相同或不同，表示氢原子、任选被取代的烷基、任选被取代的烯基等；p为0、1或2；环结构A、B相同或不同，表示任选被取代的苯环、任选被取代的噻吩环等)。

公开(公告)号：CN102574868B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201080040263.5

申请日：2010-07-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 宫田康生 ,  吉川荣二 ,  山口茂弘

IPC: C07D495/14 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D495/14 ,  C07D495/04 ,  C07F7/0814 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供适用于作为有机半导体材料的新型化合物，该化合物为式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物，提供包含该化合物的薄膜、以及具有该薄膜作为构成成分的有机半导体装置。在式(1)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，并且R1和R2各自独立地表示氢原子、任选取代的C4-30烷基、任选取代的C4-30烷氧基、任选取代的C6-30芳基、任选取代的C7-30芳烷基、任选取代的C4-30杂芳基、任选取代的C5-30杂芳烷基、或任选氟代的C3-30三烷基甲硅烷基，R1和R2两者不为氢原子。

公开(公告)号：CN102574868A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080040263.5

申请日：2010-07-08

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 宫田康生 ,  吉川荣二 ,  山口茂弘

IPC: C07D495/14 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D495/14 ,  C07D495/04 ,  C07F7/0814 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供适用于作为有机半导体材料的新型化合物，该化合物为式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物，提供包含该化合物的薄膜、以及具有该薄膜作为构成成分的有机半导体装置。在式(1)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，并且R1和R2各自独立地表示氢原子、任选取代的C4-30烷基、任选取代的C4-30烷氧基、任选取代的C6-30芳基、任选取代的C7-30芳烷基、任选取代的C4-30杂芳基、任选取代的C5-30杂芳烷基、或任选氟代的C3-30三烷基甲硅烷基，R1和R2两者不为氢原子。