公开(公告)号：CN105474408B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480046058.8

申请日：2014-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小波本直也 ,  坂元智成

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了提供一种具有高转化效率、电极形成后的基板的翘曲小、并且提高了基板与电极的密合强度的太阳能电池元件，而制成以下的太阳能电池元件。一种太阳能电池元件，其具备在表面具有p型半导体区域的硅基板、和配置在所述p型半导体区域之上的以铝为主成分的电极，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在该玻璃成分中，氧化钒的含量少于氧化碲的含量与氧化硼的含量之和。或者，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在将该玻璃成分设为100质量份时，该玻璃成分含有5～33质量份的氧化钒、4～30质量份的氧化碲、和4～18质量份的氧化硼。

公开(公告)号：CN105474408A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046058.8

申请日：2014-08-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 小波本直也 ,  坂元智成

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了提供一种具有高转化效率、电极形成后的基板的翘曲小、并且提高了基板与电极的密合强度的太阳能电池元件，而制成以下的太阳能电池元件。一种太阳能电池元件，其具备在表面具有p型半导体区域的硅基板、和配置在所述p型半导体区域之上的以铝为主成分的电极，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在该玻璃成分中，氧化钒的含量少于氧化碲的含量与氧化硼的含量之和。或者，所述电极具有包含氧化钒、氧化碲和氧化硼的玻璃成分，在将该玻璃成分设为100质量份时，该玻璃成分含有5～33质量份的氧化钒、4～30质量份的氧化碲、和4～18质量份的氧化硼。