公开(公告)号：CN102169940B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110040295.1

申请日：2011-02-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  沟渊尚嗣 ,  森敬洋 ,  出口将士 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。

公开(公告)号：CN102169940A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110040295.1

申请日：2011-02-16

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 矢羽田孝辅 ,  沟渊尚嗣 ,  森敬洋 ,  出口将士 ,  户谷真悟

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 公开了一种半导体发光元件，其包括：包括夹在第一和第二导电型层之间的发光层的半导体层叠结构，用于在第二导电型层侧提取来自发光层的发射光；与第二导电型层欧姆接触的透明电极；形成在透明电极上的绝缘层；形成在绝缘层上的用于引线键合的上电极；下电极，其穿透绝缘层，与透明电极和用于引线键合的电极欧姆接触，并且在顶视图中具有比上电极小的面积；以及反射部分，其用于至少反射透过不与下电极接触的透明电极的区域的光的部分。