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发明公开
微纳结构制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118908145A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410955542.8

申请日：2024-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 靳晨阳 , 颜伟 , 康亚茹 , 李兆峰 , 王晓东 , 杨富华

IPC: B81C1/00 , B82Y40/00

Abstract: 本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。

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