一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110453280A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201810432604.1

    申请日:2018-05-08

    Inventor: 黄富强 程园 毕辉

    Abstract: 本发明提供一种高质量晶圆级石墨烯单晶的制备方法,包括:将经等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气氛,然后升温至退火温度后再通入氢气进行退火处理,所述金属箔为铜箔、镍箔、钼箔、钴箔中的一种;向反应炉中导入碳源,调节退火温度至石墨烯单晶的生长温度后开始石墨烯单晶的生长,待生长结束后冷却至室温;所述等离子体处理的气氛为空气、氢气、氩气、氧气、氮气中的至少一种,功率为100~150W,压力为400~500Pa,时间为1~30分钟。

    一种复合正极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110165168A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910403900.3

    申请日:2019-05-15

    Inventor: 黄富强 毕辉

    Abstract: 本发明涉及一种复合正极材料及其制备方法和应用,所述复合正极材料包括纳米晶正极材料,包覆于所述纳米晶正极材料表面的富含岩盐缺陷层,以及用于原位负载表面包覆富含岩盐缺陷层的纳米晶正极材料的由三维石墨烯管共价键相互连接而形成的管状石墨烯网络结构;所述纳米晶正极材料为化学组成为LiMO2的层状正极材料,M为钴、锰、镍、钌元素的至少一种;所述富含岩盐缺陷层的组成为过渡金属氧化物或/和锂盐。

    一种三维分级孔碳材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN107311141B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201710452158.6

    申请日:2017-06-15

    Inventor: 黄富强 钱猛 毕辉

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明涉及一种三维分级孔碳材料及其制备方法和应用,所述制备方法包括:将有机络合物、镁盐溶解于溶剂中,在40~120℃下加热并搅拌4~8小时,再经120℃~140℃干燥8~24小时后,得到干凝胶;将所得干凝胶置于保护气氛中,在600~1500℃下煅烧10~480分钟,再经刻蚀液浸泡后,得到三维分级孔碳材料。本发明的三维分级孔碳材料孔径分布均匀,比表面积大,可达1600m2/g,导电性能良好,是超级电容器的合适材料,可应用于超级电容器领域。

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