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公开(公告)号：CN118139501A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410261849.8
申请日：2024-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种有机场效应晶体管的制备方法，其包括提供金属图案化结构，其中，在衬底上制备光刻胶，通过一次图案化曝光和二次泛曝光使得光刻胶的部分区域被除去以得到电极支撑结构光刻胶，该电极支撑结构光刻胶为具有负倾角的图案化结构，然后通过单步金属沉积实现源电极、漏电极和栅电极的制备以得到图案化电极；提供半导体薄膜；将半导体薄膜贴附于金属图案化结构上得到悬空结构的有机场效应晶体管。本发明还涉及由上述制备方法得到的有机场效应晶体管。根据本发明的有机场效应晶体管的制备方法，利用光刻胶进行两次曝光后形成的负倾角图案化结构，通过单步金属沉积实现电极制备，无需两次金属沉积即可完成悬空结构的有机场效应晶体管的构建。
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