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公开(公告)号：CN115465856B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110645459.7
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明可在绝缘衬底上精确定位图形化石墨烯的位置，无需再次转移石墨烯，避免了对石墨烯的污染以及其结构的破坏，无需通过光刻、离子刻蚀等工艺对石墨烯进行加工，即可获得图形化石墨烯，避免了对石墨烯的损伤和破坏，可以制备图形复杂、大尺寸、高质量的石墨烯，解决了以往石墨烯图形化过程中成本高、易受污染，质量差等问题。
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公开(公告)号：CN113832432B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111067884.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B33/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种二维化合物半导体薄膜的制备方法。该方法包括：绝缘衬底表面沉积金属氧化物薄膜，预退火；催化衬底表面制备单层二维层状材料连续薄膜；构建限域空间制备表面载有垂直异质结构的绝缘衬底，置于加热装置中，通入载气及反应所需前驱体，加热条件下限域空间内进行化学反应。该方法具有一定普适性，可有效解决薄膜制备过程中存在的三维生长及晶粒尺寸较小的问题，从而实现多种二维化合物半导体薄膜的大面积制备，同时单层二维层状材料连续薄膜作为封装层，可有效保证二维化合物半导体薄膜的本征性能。
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公开(公告)号：CN115465856A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110645459.7
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明可在绝缘衬底上精确定位图形化石墨烯的位置，无需再次转移石墨烯，避免了对石墨烯的污染以及其结构的破坏，无需通过光刻、离子刻蚀等工艺对石墨烯进行加工，即可获得图形化石墨烯，避免了对石墨烯的损伤和破坏，可以制备图形复杂、大尺寸、高质量的石墨烯，解决了以往石墨烯图形化过程中成本高、易受污染，质量差等问题。
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公开(公告)号：CN113832432A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111067884.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B33/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种二维化合物半导体薄膜的制备方法。该方法包括：绝缘衬底表面沉积金属氧化物薄膜，预退火；催化衬底表面制备单层二维层状材料连续薄膜；构建限域空间制备表面载有垂直异质结构的绝缘衬底，置于加热装置中，通入载气及反应所需前驱体，加热条件下限域空间内进行化学反应。该方法具有一定普适性，可有效解决薄膜制备过程中存在的三维生长及晶粒尺寸较小的问题，从而实现多种二维化合物半导体薄膜的大面积制备，同时单层二维层状材料连续薄膜作为封装层，可有效保证二维化合物半导体薄膜的本征性能。
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