公开(公告)号：CN108388721A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810130075.X

申请日：2018-02-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  许灵达 ,  柴展 ,  王硕

IPC: G06F17/50 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明提供一种SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法，包括：通过测试获取SOI NMOS侧壁晶体管在不同漏端偏置下的转移特性数据及在不同剂量辐照及不同漏端偏置下的转移特性数据；筛选数据、提取参数；在侧壁晶体管电流模型中引入漏致势垒降低效应的阈值电压模型、辐射效应的阈值电压偏移模型、侧壁晶体管总剂量辐射效应的等效栅压模型，修正总计量辐射效应的等效零偏阈值电压；形成SOI NMOS总剂量辐射电流模型。本发明适用于不同的漏端偏置电压下的总剂量辐射仿真；可以更准确地拟合出SOI NMOS受总剂量辐射效应影响时在不同漏端偏置下的转移特性曲线，更适用于集成电路的总剂量辐射效应仿真。

公开(公告)号：CN108536959A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810311857.3

申请日：2018-04-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  许灵达 ,  柴展 ,  王硕

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法，包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型；调用所述含辐射效应的MOS模型进行电路辐射效应仿真。本发明简化了辐射仿真过程，方便电路设计人员直接调用，且适用于Hspice和Spectre仿真器，普适性高。

公开(公告)号：CN108388721B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201810130075.X

申请日：2018-02-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  许灵达 ,  柴展 ,  王硕

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明提供一种SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法，包括：通过测试获取SOI NMOS侧壁晶体管在不同漏端偏置下的转移特性数据及在不同剂量辐照及不同漏端偏置下的转移特性数据；筛选数据、提取参数；在侧壁晶体管电流模型中引入漏致势垒降低效应的阈值电压模型、辐射效应的阈值电压偏移模型、侧壁晶体管总剂量辐射效应的等效栅压模型，修正总计量辐射效应的等效零偏阈值电压；形成SOI NMOS总剂量辐射电流模型。本发明适用于不同的漏端偏置电压下的总剂量辐射仿真；可以更准确地拟合出SOI NMOS受总剂量辐射效应影响时在不同漏端偏置下的转移特性曲线，更适用于集成电路的总剂量辐射效应仿真。