公开(公告)号：CN110444658A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910745134.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伍文涛 ,  吕越 ,  陈建国 ,  梁恬恬 ,  王沪兵 ,  高波 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。

公开(公告)号：CN110444658B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201910745134.9

申请日：2019-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伍文涛 ,  吕越 ,  陈建国 ,  梁恬恬 ,  王沪兵 ,  高波 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法，该方法包括：对由下至上包括下介质层、半导体衬底及上介质层的衬底结构进行背面刻蚀，以形成弱导热沟槽；于上介质层上形成两平行排布的电极，于两电极及其间的上介质层上形成AlMn合金超导薄膜；于上介质层及AlMn合金超导薄膜上形成设有接触孔的第一图形化掩膜层；于第一图形化掩膜层及接触孔上形成中间缓冲层，于中间缓冲层上形成设有形成孔的第二图形化掩膜层；于形成孔中形成包括接触点和吸收层本体的吸收层，去除第二图形掩膜层；去除吸收层外围的中间缓冲层，去除第一图形掩膜层，以通过接触点及其下的中间缓冲层实现吸收层本体和AlMn合金超导薄膜的连接。