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发明公开
一种优化相变存储器电导漂移的补偿方法审中-实审

公开(公告)号：CN119760329A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411820068.4

申请日：2024-12-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨欣宇 , 俞秋瑶 , 雷宇 , 宋志棠

IPC: G06F18/15 , G06N3/047 , G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种优化相变存储器电导漂移的补偿方法，包括：根据相变存储器的电导漂移模型，用实际的相变存储器件的电导漂移数据进行拟合，得到器件电导漂移系数；将所述器件电导漂移系数代入所述电导漂移模型，得到相变存储器的电导漂移曲线和平均电导值；将相变存储器的电导测量值减去根据所述电导漂移曲线得到的相变存储器的电导，得到电导随机噪声；将所述电导随机噪声加上所述平均电导值，得到相变存储器件的补偿后的电导值。本发明能有效补偿相变存储器的电导漂移。

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