公开(公告)号：CN100483622C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710041402.6

申请日：2007-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱大鹏 ,  王立春 ,  罗乐

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion-beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为-200～-50×10-6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1%。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM-D基板的无源电阻埋置。

公开(公告)号：CN101071766A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710041402.6

申请日：2007-05-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱大鹏 ,  王立春 ,  罗乐

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ion－beam刻蚀工艺制备，再利用直流溅射工艺将铝膜沉积在电阻薄膜之后进行铝多孔阳极氧化，电阻表面的铝膜被完全氧化，通过控制薄膜电阻溅射厚度和铝阳极氧化电压，可以得到精确的氮化钽薄膜电阻，其电阻温度系数为－200～－50×10－6/℃。能够在室温～200℃的温度范围内保持线性，经过室温～200℃的10次温度循环后电阻值变化小于1％。可精确控制氮化钽薄膜电阻，适用于高密度MCM－D基板的无源电阻埋置。