公开(公告)号：CN103855301B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201210517155.3

申请日：2012-12-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 顾怡峰 ,  宋志棠 ,  席韡 ,  宋三年 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。

公开(公告)号：CN103855301A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210517155.3

申请日：2012-12-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 顾怡峰 ,  宋志棠 ,  席韡 ,  宋三年 ,  刘波 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。