公开(公告)号：CN119797826A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510038972.8

申请日：2025-01-09

Applicant: 中国矿业大学(北京)

Inventor： 刘泽 ,  段开瑞 ,  刘冬茹 ,  温帅云 ,  李江澜 ,  王栋民

IPC: C04B28/00 ,  C04B12/00 ,  C04B7/24 ,  C04B7/153

Abstract: 本申请涉及一种矿渣组合物、矿渣材料及其制备方法。本申请提供的矿渣组合物包括矿渣、电石渣、碳酸钠和外加剂，所述外加剂包括聚环氧琥珀酸钠。采用本申请提供的矿渣组合物制备的碳酸钠激发矿渣浆体具有较高的流动度，浆体硬化后具有可接受的早期抗压强度。

公开(公告)号：CN119258810A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411704668.4

申请日：2024-11-26

Applicant: 中国矿业大学(北京)

Inventor： 刘泽 ,  彭中昊 ,  刘冬茹 ,  王栋民 ,  刘红缨

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/02 ,  B01D67/00 ,  B01D53/22

Abstract: 本发明提供了一种DDR沸石膜的制备方法，属于沸石分子筛膜制备领域。本发明提供了一种DDR沸石膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将DDR沸石晶种负载于硅灰基体的表面后进行烧结，得到负载有晶种的收缩态硅灰基体；(2)将强碱、结构导向剂负载于所述收缩态硅灰基体的表面后进行蒸汽加热，得到所述DDR沸石膜；所述蒸汽加热的温度为145～175℃。硅灰中的SiO2具有较高的反应活性，在强碱及蒸汽的条件下原有结构被破坏形成游离Si离子和游离O离子。游离Si离子和游离O离子在结构导向剂和表面DDR沸石晶种的作用下重新排列组合形成以硅氧4面体为主的3维空间网状结构生成DDR结晶，生长得到DDR沸石膜。